功能丰富的互补金属氧化物半导体

GF的功能丰富的CMOS平台, 结合基础和复杂的知识产权和设计支持, 在批量生产的过程中提供混合技术解决方案. 因此,它们非常适合于各种各样的应用程序. 技术特点包括用于电源管理的双极cmos - dmos (BCD), 用于显示驱动器的高压三栅氧化物和用于微控制器的嵌入式非易失性存储器.

  • / 3.自2010年以来,500万180nm BCDLite晶圆已在移动/充电器市场和行业首个55nm BCD工艺中出货.

  • 业界首个纯130纳米BCD技术,支持DTI在汽车0级.

  • 嵌入式磁阻RAM (eMRAM), 嵌入式电阻RAM (eRRAM)和嵌入式Flash (eFlash),以满足广泛细分市场的需求.

  • 显示驱动技术平台(55DDI, 40DDI和28SLP-HV), 自2015年以来,为DDIC发货的晶圆总数超过150K.